Crisóforo Morales Ruíz

Materiales y Dispositivos Semiconductores, BUAP-CA97 

Doctor en Ingeniería Eléctrica por el CINVESTAV, Maestro en Dispositivos Semiconductores por la BUAP y Licenciado Químico por la BUAP. Realizó una estancia posdoctoral en el Instituto Tecnológico de Toyota en Nagoya, Japón donde trabajó sobre celdas solares orgánicas y sobre celdas solares de super alta eficiencia de compuestos III-V. Actualmente es profesor investigador de tiempo completo en el posgrado en Dispositivos Semiconductores de la BUAP. Es miembro del Sistema Nacional de Investigadores (SNI Nivel 1). Sus líneas de investigación son celdas solares de película delgada y tipo Gräetzel, así como nanocompositos de óxidos metálicos.

Línea(s) de investigación que desarrolla

• Celdas solares inorgánicas y orgánicas, dispositivos optoelectrónicos, síntesis química y compositos de óxidos metálicos.

Descripción de sus proyectos de investigación

Actualmente se está trabajando en la síntesis de óxido de silicio mesoporoso (SBA-15) impurificado con tierras raras, para ser usado como precursor en la obtención de metal- oxido de silicio rico en silicio (M-SRO) y SiOC, mediante la técnica HFCVD, para su aplicación en diodos electroluminiscentes. También se está trabajando en la fabricación de celdas solares tipo Gräetzel mediante tintas de extractos naturales así como en celdas solares de película delgada fabricadas con óxidos conductores transparentes (TCOs) y compuestos III-V.

• https://www.researchgate.net/profile/Crisoforo_Morales
• Luminiscence Enhancement in Silicon Oxycarbide Thin Films Obtained by Catalytic Chemical Vapor Deposition Using Mesoporous Silica Pallets and Tetraethoxysilane.
• Luminescent silicon oxycarbide thin films obtained with monomethyl-silane by hot-wire chemical vapor deposition.
• Influence of the GaAs crystals diffusion in the shift towards low energies in the photoluminescence emission band of the GaN/GaN buffer/GaAs structure.
• Effects in the optical and structural properties caused by Mg or Zn doping of GaN films grown via radio-frecuency magnetron sputtering using laboratory-prepared targets.
• P-type GaN powders obtained by nitridation of Ga-Mg liquid metallic solution.

• CINVESTAV Unidad D.F. (2009), CINVESTAV Unidad Mérida (2012), Toyota Technological Institute en Nagoya, Japón (2013). 

• M.C. Erick Gastellóu Hernández, "Obtención y Caracterización de Películas Delgadas de GaN Impurificadas"
• M.C. Juan Ramón Ramos Serrano, "Preparación y Caracterización de Películas de Oxicarburo de Silicio para Dispositivos Electroluminiscentes".
• Lic. Daniel Díaz Tapia, "Síntesis y Caracterización de Películas de Óxido de Silicio Rico en Silicio Impurificado con Estaño (SRO:Sn)".