Inicio > Enrique Rosendo Andrés

Enrique Rosendo Andrés

Enrique Rosendo Andrés

Acreditaciones

Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores

SNI II - Perfil PRODEP - Padrón Investigadores BUAP

Grados Académicos

Licenciatura: Licenciado en Física, 1994, UAEMex
Doctorado: Doctorado en Ingeniería Eléctrica, 2001, BUASLP

Contacto

Nombre de Laboratorio: Depósito de películas delgadas por Erosión Catódica
Correo Electrónico Institucional: enrique.rosendo@correo.buap.mx
Teléfono trabajo: 2222295500 Ext:  7876
Edificio:  IC5                               

Docencia

Facultad de Ciencias de la Electrónica

  • Electricidad y Magnetismo
  • Semiconductores

Posgrado en Dispositivos Semiconductores

  • Física de Semiconductores
  • Difracción de rayos X
  • Caracterización Óptica de Semiconductores
  • Materiales Semiconductores no Convencionales, compuestos inorgánicos y óxidos

Perfil Académico

BUAP-CA-97 Materiales Y Dispositivos Semiconductores 

  • Licenciatura en Física en la UAMéx el 05 de diciembre de 1994
  • Doctorado en Ingeniería Eléctrica en la BUASLP el 18 de enero de 2001.
  • SNI nivel II.
  • Perfil PRODEP hasta julio de 2025.
  • Miembro de la Academia Mexicana de Ciencias.
  • Profesor Investigador Titular C.
  • Miembro del Padrón de investigadores de la BUAP
  • Mi trabajo está enfocado a la investigación y aplicación de materiales semiconductores y óxidos conductores transparentes (TCO)

Investigación

Línea(s) de investigación que desarrolla 

  • Dispositivos electrónicos y optoelectrónicos
  • Materiales y Estructuras Semiconductoras
  • Aleaciones semiconductoras

 

Descripción de sus proyectos de investigación

Los proyectos desarrollados por un servidor están encaminados al crecimiento y caracterización de materiales semiconductores III-V, II-VI, IV-VI, óxidos conductores transparentes y su aplicación en celdas solares. El método de depósito de las películas delgadas es por erosión catódica (sputtering) y se caracteriza con por medio de difracción de rayos x, Microscopía SEM, espectroscopía Raman, espectroscopía IR, espectroscopía UVvis, efecto Hall, etc.

Publicaciones

  • https://www.researchgate.net/profile/E-Rosendo
  • Crystalline and luminescence changes due to nitridation of undoped GaN powders obtained by pyrolysis from an organometallic complex. Erick Gastellou, Godofredo García, Crisoforo Morales, Ana M. Herrera, Rafael García, Gustavo A. Hirata, Mario Robles, Jorge A. Rodríguez, Enrique Rosendo, Tomas Díaz, Optical Materials. 98, 1-5 (2019)
  • Strong white light emission from SiCxOyfilms grown by HFCVD technique, A. Coyopol, G. Garcia-Salgado, T. Díaz-Becerril, M. A. Vásquez-Agustín, R. Romano-Trujillo, R. López, E. Rosendo, F. G. Nieto-Caballero, C. Morales-Ruíz, A. Morales-Sánchez. Optical Materials, 99 (febrero 2020)
  • Porous Silicon Gas Sensors: The Role of the Layer Thickness and the Silicon Conductivity, Francisco Ramírez-González, Godofredo García-Salgado, Enrique Rosendo, Tomás Díaz, Fabiola Nieto-Caballero, Antonio Coyopol, Román Romano, Alberto Luna, Karim Monfil, Erick Gastellou. Sensors, 20(17), 4942, Agosto 2020.
  • Luminescence Enhancement in Silicon Oxycarbide Thin Films Obtained by Catalytic Chemical Vapor Deposition Using Mesoporous Silica Pellets and Tetraethoxysilane, Iván García, Crisóforo Morales, Enrique Rosendo, Tomás Díaz, María Pérez, Erick Gastellóu, Ramón Serrano, Reina Galeazzi, Godofredo García, Román Romano, Antonio Coyopol y Roberto Portillo. Thin Solid Films, 713, 138358 (2020).
  • Cubic, orthorhombic and amorphous SnS thin films on flexible plastic substrates by CBD. Irving Galindo Márquez, Roman Romano-Trujillo, Justo Miguel Gracia-Jiménez, Reina Galeazzi, Nicolas Rutilo Silva-González, Godofredo García,  Antonio Coyopol, Fabiola Gabriela Nieto-Caballero, Enrique Rosendo, Crisóforo Morales, Journal of Materials Science:Materials in Electronics (JMSE), (18 de mayo 2021)

Colaboraciones Externas

  • Dr. Andrés Iván Oliva Arias Cinvestav Unidad Mérida, desde 2010
  • Dr. Eduardo Camacho Espinosa, Cinvestav Unidad Mérida, desde 2016
  • Dr. Héctor Pérez ladrón de Guevara, Centro Universitario de los Lagos, U de G, 2018.
  • Dr. Carlos Israel Medel Ruíz, Centro Universitario de los Lagos, U de G, 2019. 

Tesis Dirigidas

Licenciatura

  • Raymundo Rosete Montero,Uso de SBA-15 como fuente alternativa para el depósito de películas de SRO impurificadas con Sn preparadas por la técnica HWCVD. Facultad de Ciencias de la Electrónica, BUAP, 28 de mayo de 2019.

Maestría

  • Eliseo Rincón Suárez. Modificación de las propiedades físicas de Teluro de Cadmio aplicando rampas de potencia durante el depósito por medio de erosión catódica. Maestría en Dispositivos Semiconductores, ICUAP, BUAP, 30 de noviembre de 2020.
  • Ana Cristina Carranza Sánchez, Caracterización de películas delgadas de óxido de zinc con aluminio (AZO) depositadas mediante erosión catódica modulando la potencia de plasma durante el crecimiento. Maestría en Dispositivos Semiconductores, ICUAP, BUAP, 06 de Noviembre 2020.
  • Olga Lucero Illescas Sánchez, Fabricación y Caracterización de Celdas Solares de TiO2 sensibilizadas con colorantes orgánicos obtenidos de Dactylopius Coccus Costa (grana cochinilla) y Jamaica. Maestría en Dispositivos Semiconductores, ICUAP, BUAP, 17 de diciembre 2020.
  • Imelda Antonia Padraza Chan, Preparación y caracterización de peliculas de SiOC: eu para su posible aplicación en dispositivos electroluminiscentes. Maestría en Dispositivos Semiconductores, ICUAP, BUAP, 09 de febrero 2021.
  • William Salazar Gómez, “Preparación y caracterización óptico–estructural de SiOC impurificado con erbio por la técnica HWCVD usando SBA-15” Maestría en Dispositivos Semiconductores, ICUAP, BUAP, 31 de mayo de 2021.

Doctorado

  • Leticia Treviño Yarce, Depósito y caracterización de películas delgadas de SnS sobre substratos de acero inoxidable mediante baño químico. Doctorado en Dispositivos Semiconductores, ICUAP, BUAP, 24 de enero de 2019.
  • María Montserrat Oropeza Saucedo, Fabricación y caracterización de una celda solar basada en sulfuro de estaño y óxido de zinc utilizando un sustrato flexible, Doctorado en Dispositivos Semiconductores, ICUAP, BUAP, 11 de diciembre de 2020.