Godofredo García Salgado

Materiales y dispositivos semiconductores, BUAP-CA-97 

Investigador nacional nivel II, miembro del padrón de  investigadores de la BUAP, con perfil PRODEP y miembro de un cuerpo académico consolidado.

Experto en el diseño de sistemas de crecimiento en fase gaseosa (CVD), específicamente, HFCVD y MOCVD. Se diseñó el primer sistema de MOCVD funcional en la BUAP en mi laboratorio, para el crecimiento de GaN. Por otro lado inicié hace 17 años con las primeras investigaciones en el CIDS-ICUAP sobre la obtención, caracterización y aplicaciones de silicio poroso, del cual está en proceso una patente sobre microcavidades en el UV. También se trabajó con otra patente sobre la obtención de oxicarburo de silicio mediante la técnica de HFCVD usando etanol como precursor de carbón.

Actualmente cuento con mas de 100 artículos indizados así como mas de 30 estudiantes titulados dentro del posgrado y de otros Institutos.
 

Línea(s) de investigación que desarrolla

• Obtención de materiales con propiedades ópticas, obtención de dispositivos sensores, electroluminiscentes, fotodetectores y fotónica en base a microcavidades con silicio poroso. Dentro de estos materiales contamos: óxidos de silicio fuera de estequiometría, óxidos de zinc, óxidos de estaño, nitruro de galio, arsenuro de galio.

Descripción de sus proyectos de investigación

La mayoría de mis proyectos de investigación se basan en el crecimiento por HFCVD (Hot Filament Chemical Vapor Deposition) de óxidos semiconductores , su caracterización y aplicaciones. La ventaja mas sobresaliente del proceso HFCVD es el uso de precursores sólidos para efectuar el crecimiento de películas delgadas y nanoestructuras. Esto se refleja claramente en una disminución notable del costo de producción de estos materiales, además de que no usamos gases venenosos (e.g. Arsina). El proceso HFCVD se basa en la disociación de hidrógeno molecular (H2) mediante un filamento que se mantiene a 2000ºC dentro de un tubo de cuarzo que se encuentra sellado herméticamente. El hidrógeno disociado se mantiene como hidrógeno atómico durante un tiempo suficiente para reaccionar con materiales sólidos y formar compuestos volátiles. Los compuestos volátiles alcanzan el substrato y empiezan a formar películas que se caracterizan por sus propiedades ópticas principalmente, lo que las hace candidatos adecuados para fabricar dispositivos, como diodos emisores de luz, fotodetectores, transistores MOS, filtros ópticos, etc. 
El sistema de MOCVD que diseñamos en nuestro laboratorio, se basa en el uso de amoniaco y trimetilgalio para el crecimiento de GaN, el material base que produjo el vertiginoso desarrollo de las pantallas planas, el Blue-Ray, las lámparas que usamos en nuestros hogares fabricadas con diodos de alta brillantez, transistores de alta potencia, etc.  
 

• https://doi.org/10.3390/ma14133697
• https://doi.org/10.1007/s10854-021-06141-9 
• https://doi.org/10.2351/7.0000279 
• https://doi:10.3390/cryst10020127  
• https://doi:10.3390/s20174942 
• https://doi:10.3390/nano10020222 
• https://doi:10.3390/nano10071415
• https://doi.org/10.1038/s41598-020-59001-7
• https://doi.org/10.1016/j.optmat.2019.109551
• ZnO Films Incorporation Study on Macroporous Silicon Structure, Lizeth Martínez, Godofredo García-Salgado, Francisco Morales-Morales, Bernardo Campillo, Angélica G. Hernández, Tangirala V. K. Karthik, María R. Jiménez-Vivanco and José Campos-Álvarez, materials (2021), 14, 3697.
• Cubic, orthorhombic and amorphous SnS thin films on flexible plastic substrates by CBD, I. G. Ma ́rquez, R. Romano-Trujillo, J. M. Gracia-Jimenez, R. Galeazzi,N. R. Silva-Gonzalez, G. García, A. Coyopol, F. G. Nieto-Caballero, E. Rosendo, and C. Morales,  J Mater Sci: Mater Electron (2021) 32:15898–15906
• Structural properties of porous silicon obtained with laser photoetching assisted by computerized numeric control. Francisco Severiano Carrillo, Valentin López Gayou, Godofredo García Salgado, Raúl Delgado Macuil, and Netzahualcoyotl Carlos Ramírez, J. Laser Appl. 33, 022001 (2021).
• Strong white light emission from SiCxOy films grown by HFCVD technique. A. Coyopol, G. Garcia-Salgado, T. Díaz-Becerril , M.A. Vasquez-Agustín , R. Romano-Trujillo a, R. Lopez, E. Rosendo, F.G. Nieto-Caballero, C. Morales-Ruiz, A. Morales-Sanchez, Optical Materials 99 (2020) 109551.
• Porous Si-SiO2 based UV Microcavities. María R. Jimenéz-Vivanco, Godofredo García, Jesús carrillo, Vivechana Agarwal, tomás Díaz-Becerril, Rafael Doti, Jocelyn faubert & J. e. Lugo, Scientific reports, (2020), 10:2220.      

• Universidad Autónoma de Sonora (2015)
• Centro de Investigación en Biología Aplicada-IPN (2010)
• CINVESTAV, Cd. de Mexico (2004)
• Faubert Lab, school of optometry, Univ. de Montreal, Canada (2016)
• Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo (2018)

• Hernández Simón Zaira Jocelyn.
  Propiedades Fotovoltaicas de Películas SRO depositadas mediante HFCVD en Estructuras ITO/SRO/Si y AU/SRO/Si
• Ramírez González Francisco Sebastián.
  Obtención de GaN mediante nitruración de obleas de GaAs
• Herrera Castillo Ana María.
  Síntesis de polvos de AlxGa1-xN por la ruta pirolítica y su caracterización estructural y óptica 
• Gastellou Hernández Erick.
  Obtención y caracterización de películas delgadas de GaN impurificadas 
• José de Jesús Cruz Bueno.
  Obtención de películas de GaN mediante nitruración con amoniaco de películas de GaAs y su caracterización 
• Jiménez Vivanco María del Rayo.
  FOTODETECTOR DE InGaN, SINTONIZADO CON FILTROS AUTOSOSTENIDOS DE Si-SiO2 EN EL UV